Especificaciones tecnológicas PMN35EN,115
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de NXP Semiconductors / Freescale - PMN35EN,115 con especificaciones similares a NXP Semiconductors / Freescale - PMN35EN,115
Atributo del producto | Valor del atributo | |
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Fabricante | NXP Semiconductors | |
VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA | |
Vgs (Max) | ±20V | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Paquete del dispositivo | 6-TSOP | |
Serie | - | |
RDS (Max) @Id, Vgs | 31 mOhm @ 5.1A, 10V | |
La disipación de energía (máximo) | 500mW (Ta) | |
embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Paquete / Cubierta | SC-74, SOT-457 | |
Otros nombres | 934065376115 PMN35EN115 |
|
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Atributo del producto | Valor del atributo | |
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Tipo de montaje | Surface Mount | |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 334pF @ 15V | |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 9.3nC @ 10V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | |
Descripción detallada | N-Channel 30V 5.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP | |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5.1A (Ta) |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las NXP Semiconductors / Freescale PMN35EN,115
Atributo del producto | ![]() |
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Número de pieza | PMN35EN,115 | PMN30XPAX | PMN30UNEX | PMN40UPE,115 |
Fabricante | NXP Semiconductors / Freescale | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | NXP USA Inc. |
Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Paquete / Cubierta | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 2.5V, 8V | 1.5V, 4.5V | 1.8V, 4.5V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 9.3nC @ 10V | 16 nC @ 4.5 V | 9 nC @ 4.5 V | 23 nC @ 4.5 V |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
embalaje | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
Descripción detallada | N-Channel 30V 5.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP | - | - | - |
Serie | - | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | - | - |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Tipo FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
Otros nombres | 934065376115 PMN35EN115 |
- | - | - |
Vgs (Max) | ±20V | ±12V | ±8V | ±8V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | 20 V | 20 V | 20 V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5.1A (Ta) | 5.2A (Ta) | 4.8A (Ta) | 4.7A (Ta) |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
Paquete del dispositivo | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 334pF @ 15V | 1039 pF @ 10 V | 558 pF @ 10 V | 1820 pF @ 10 V |
La disipación de energía (máximo) | 500mW (Ta) | 660mW (Ta), 7.5W (Tc) | 530mW (Ta), 4.46W (Tc) | 500mW (Ta), 8.33W (Tc) |
Característica de FET | - | - | - | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 31 mOhm @ 5.1A, 10V | 33mOhm @ 5.2A, 8V | 36mOhm @ 4.8A, 4.5V | 43mOhm @ 3A, 4.5V |
VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA | 1.3V @ 250µA | 900mV @ 250µA | 950mV @ 250µA |
Descargue las hojas de datos PDF PMN35EN,115 y la documentación NXP Semiconductors / Freescale para PMN35EN,115 - NXP Semiconductors / Freescale.
Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
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Región | País | Hora logística (día) |
America | Estados Unidos | 5 |
Brasil | 7 | |
Europa | Alemania | 5 |
Reino Unido | 4 | |
Italia | 5 | |
Oceanía | Australia | 6 |
Nueva Zelanda | 5 | |
Asia | India | 4 |
Japón | 4 | |
Oriente Medio | Israel | 6 |
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
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Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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