Especificaciones tecnológicas PHD34NQ10T,118
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de NXP Semiconductors / Freescale - PHD34NQ10T,118 con especificaciones similares a NXP Semiconductors / Freescale - PHD34NQ10T,118
Atributo del producto | Valor del atributo | |
---|---|---|
Fabricante | NXP Semiconductors | |
VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 1mA | |
Vgs (Max) | ±20V | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Paquete del dispositivo | DPAK | |
Serie | TrenchMOS™ | |
RDS (Max) @Id, Vgs | 40 mOhm @ 17A, 10V | |
La disipación de energía (máximo) | 136W (Tc) | |
embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Otros nombres | 934055807118 PHD34NQ10T /T3 PHD34NQ10T /T3-ND |
|
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Atributo del producto | Valor del atributo | |
---|---|---|
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1704pF @ 25V | |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 40nC @ 10V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V | |
Descripción detallada | N-Channel 100V 35A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount DPAK | |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
---|---|
Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | |
Estatus de alcance | |
ECCN | |
HTSUS |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las NXP Semiconductors / Freescale PHD34NQ10T,118
Atributo del producto | ||||
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Número de pieza | PHD34NQ10T,118 | PHD36N03LT,118 | PHD38N02 | PHD27NQ10T |
Fabricante | NXP Semiconductors / Freescale | NXP USA Inc. | Freescale / NXP Semiconductors | LUMILEDS |
Serie | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ | - | - |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) | 43.4A (Tc) | - | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | 4.5V, 10V | - | - |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 40nC @ 10V | 18.5 nC @ 10 V | - | - |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
Paquete del dispositivo | DPAK | DPAK | - | - |
Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | - |
Tipo FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V | 30 V | - | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - |
Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
Vgs (Max) | ±20V | ±20V | - | - |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1704pF @ 25V | 690 pF @ 25 V | - | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 40 mOhm @ 17A, 10V | 17mOhm @ 25A, 10V | - | - |
Característica de FET | - | - | - | - |
embalaje | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
La disipación de energía (máximo) | 136W (Tc) | 57.6W (Tc) | - | - |
Otros nombres | 934055807118 PHD34NQ10T /T3 PHD34NQ10T /T3-ND |
- | - | - |
Descripción detallada | N-Channel 100V 35A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount DPAK | - | - | - |
VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 1mA | 2V @ 250µA | - | - |
Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
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Región | País | Hora logística (día) |
America | Estados Unidos | 5 |
Brasil | 7 | |
Europa | Alemania | 5 |
Reino Unido | 4 | |
Italia | 5 | |
Oceanía | Australia | 6 |
Nueva Zelanda | 5 | |
Asia | India | 4 |
Japón | 4 | |
Oriente Medio | Israel | 6 |
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
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Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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