Especificaciones tecnológicas PHD108NQ03LT,118
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de NXP Semiconductors / Freescale - PHD108NQ03LT,118 con especificaciones similares a NXP Semiconductors / Freescale - PHD108NQ03LT,118
Atributo del producto | Valor del atributo | |
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Fabricante | NXP Semiconductors | |
VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 1mA | |
Vgs (Max) | ±20V | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Paquete del dispositivo | DPAK | |
Serie | TrenchMOS™ | |
RDS (Max) @Id, Vgs | 6 mOhm @ 25A, 10V | |
La disipación de energía (máximo) | 187W (Tc) | |
embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Otros nombres | 934056957118 PHD108NQ03LT /T3 PHD108NQ03LT /T3-ND |
|
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Atributo del producto | Valor del atributo | |
---|---|---|
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1375pF @ 12V | |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 16.3nC @ 4.5V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 25V | |
Descripción detallada | N-Channel 25V 75A (Tc) 187W (Tc) Surface Mount DPAK | |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las NXP Semiconductors / Freescale PHD108NQ03LT,118
Atributo del producto | ||||
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Número de pieza | PHD108NQ03LT,118 | PHD108NQ03LT | PHD108NQ03 | PHD1379 |
Fabricante | NXP Semiconductors / Freescale | LUMILEDS | LUMILEDS | 0 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) | - | - | - |
Tipo de montaje | Surface Mount | - | - | - |
VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 1mA | - | - | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | - |
Tipo FET | N-Channel | - | - | - |
Serie | TrenchMOS™ | - | - | - |
Otros nombres | 934056957118 PHD108NQ03LT /T3 PHD108NQ03LT /T3-ND |
- | - | - |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
La disipación de energía (máximo) | 187W (Tc) | - | - | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 6 mOhm @ 25A, 10V | - | - | - |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 25V | - | - | - |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 16.3nC @ 4.5V | - | - | - |
Característica de FET | - | - | - | - |
Descripción detallada | N-Channel 25V 75A (Tc) 187W (Tc) Surface Mount DPAK | - | - | - |
Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | - | - |
Paquete del dispositivo | DPAK | - | - | - |
Vgs (Max) | ±20V | - | - | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | - | - | - |
embalaje | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1375pF @ 12V | - | - | - |
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Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
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Región | País | Hora logística (día) |
America | Estados Unidos | 5 |
Brasil | 7 | |
Europa | Alemania | 5 |
Reino Unido | 4 | |
Italia | 5 | |
Oceanía | Australia | 6 |
Nueva Zelanda | 5 | |
Asia | India | 4 |
Japón | 4 | |
Oriente Medio | Israel | 6 |
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
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Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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