Especificaciones tecnológicas PH8030L,115
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de NXP Semiconductors / Freescale - PH8030L,115 con especificaciones similares a NXP Semiconductors / Freescale - PH8030L,115
Atributo del producto | Valor del atributo | |
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Fabricante | NXP Semiconductors | |
VGS (th) (Max) @Id | 2.15V @ 1mA | |
Vgs (Max) | ±20V | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Paquete del dispositivo | LFPAK56, Power-SO8 | |
Serie | TrenchMOS™ | |
RDS (Max) @Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 25A, 10V | |
La disipación de energía (máximo) | 62.5W (Tc) | |
embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Paquete / Cubierta | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
Otros nombres | 934058818115 PH8030L T/R PH8030L T/R-ND |
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Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Atributo del producto | Valor del atributo | |
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Tipo de montaje | Surface Mount | |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 12V | |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 15.2nC @ 4.5V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | |
Descripción detallada | N-Channel 30V 76.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 | |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 76.7A (Tc) |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las NXP Semiconductors / Freescale PH8030L,115
Atributo del producto | ||||
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Número de pieza | PH8030L,115 | NDP6030PL | IRFR13N20DPBF | AO4268 |
Fabricante | NXP Semiconductors / Freescale | Fairchild Semiconductor | Infineon Technologies | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Paquete del dispositivo | LFPAK56, Power-SO8 | TO-220-3 | D-Pak | 8-SOIC |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
RDS (Max) @Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 25A, 10V | 25mOhm @ 19A, 10V | 235mOhm @ 8A, 10V | 4.8mOhm @ 19A, 10V |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 12V | 1570 pF @ 15 V | 830 pF @ 25 V | 2500 pF @ 30 V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 76.7A (Tc) | 30A (Tc) | 13A (Tc) | 19A (Ta) |
Tipo de montaje | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 62.5W (Tc) | 75W (Tc) | 110W (Tc) | 3.1W (Ta) |
Paquete / Cubierta | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | TO-220-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Otros nombres | 934058818115 PH8030L T/R PH8030L T/R-ND |
- | - | - |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
embalaje | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
Vgs (Max) | ±20V | ±16V | ±30V | ±20V |
Descripción detallada | N-Channel 30V 76.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 | - | - | - |
Serie | TrenchMOS™ | - | HEXFET® | AlphaSGT™ |
Característica de FET | - | - | - | - |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | 30 V | 200 V | 60 V |
VGS (th) (Max) @Id | 2.15V @ 1mA | 2V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 2.3V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 15.2nC @ 4.5V | 36 nC @ 5 V | 38 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V |
Tipo FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
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Región | País | Hora logística (día) |
America | Estados Unidos | 5 |
Brasil | 7 | |
Europa | Alemania | 5 |
Reino Unido | 4 | |
Italia | 5 | |
Oceanía | Australia | 6 |
Nueva Zelanda | 5 | |
Asia | India | 4 |
Japón | 4 | |
Oriente Medio | Israel | 6 |
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
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Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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