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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaBUK9Y22-30B,115
NXP USA Inc.
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

BUK9Y22-30B,115 - NXP USA Inc.

Fabricante Número de pieza
BUK9Y22-30B,115
Fabricante
NXP Semiconductors
Allelco Número de pieza
32D-BUK9Y22-30B,115
Modelo ECAD
Descripción de piezas
TRANSISTOR >30MHZ
Descripción detallada
Embalaje
SC-100, SOT-669
Ficha de datos
BUK9Y22-30B.pdf
Existencias disponibles: 4240

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas BUK9Y22-30B,115
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de NXP USA Inc. - BUK9Y22-30B,115 con especificaciones similares a NXP USA Inc. - BUK9Y22-30B,115

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante NXP Semiconductors  
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±15V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo LFPAK56, Power-SO8  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 19mOhm @ 20A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 59.4W (Tc)  
Paquete / Cubierta SC-100, SOT-669  
Paquete Bulk  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 940 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 10.5 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 37.7A (Tc)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las NXP USA Inc. BUK9Y22-30B,115

Atributo del producto BUK9Y22-30B,115 BUK9Y29-40E,115 BUK9Y22-30B,115 BUK9Y1R9-40HX
Número de pieza BUK9Y22-30B,115 BUK9Y29-40E,115 BUK9Y22-30B,115 BUK9Y1R9-40HX
Fabricante NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Característica de FET - - - -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 5V 5V, 10V -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 37.7A (Tc) 25A (Tc) 37.7A (Tc) 120A (Tj)
Paquete / Cubierta SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 -
La disipación de energía (máximo) 59.4W (Tc) 37W (Tc) 59.4W (Tc) -
Paquete Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs 19mOhm @ 20A, 10V 25mOhm @ 5A, 10V 19mOhm @ 20A, 10V -
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q100
Paquete del dispositivo LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8 -
Vgs (Max) ±15V ±10V ±15V +16V, -10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 940 pF @ 25 V 664 pF @ 25 V 940 pF @ 25 V -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 40 V 30 V -
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 1mA 2.1V @ 1mA 2V @ 1mA -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 10.5 nC @ 5 V 5 nC @ 5 V 10.5 nC @ 5 V -

BUK9Y22-30B,115 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF BUK9Y22-30B,115 y la documentación NXP USA Inc. para BUK9Y22-30B,115 - NXP USA Inc..

Hojas de datos
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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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