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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaFDMA410NZT
Fairchild Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

FDMA410NZT - Fairchild Semiconductor

Fabricante Número de pieza
FDMA410NZT
Fabricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Número de pieza
32D-FDMA410NZT
Modelo ECAD
Descripción de piezas
ULTRA THIN N-CHANNEL 1.5 V POWER
Descripción detallada
Embalaje
6-UDFN Exposed Pad
Ficha de datos
Datasheet.pdf
Existencias disponibles: 4930

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas FDMA410NZT
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Fairchild Semiconductor - FDMA410NZT con especificaciones similares a Fairchild Semiconductor - FDMA410NZT

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 6-UDFN (2.05x2.05)  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 23mOhm @ 9.5A, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 2.4W (Ta)  
Paquete / Cubierta 6-UDFN Exposed Pad  
Paquete Bulk  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A (Ta)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Fairchild Semiconductor FDMA410NZT

Atributo del producto FDMA410NZT FDMA420NZ FDMA410NZ FDMA507PZ
Número de pieza FDMA410NZT FDMA420NZ FDMA410NZ FDMA507PZ
Fabricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Paquete / Cubierta 6-UDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 10 V 935 pF @ 10 V 1080 pF @ 10 V 2015 pF @ 10 V
Paquete del dispositivo 6-UDFN (2.05x2.05) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2)
RDS (Max) @Id, Vgs 23mOhm @ 9.5A, 4.5V 30mOhm @ 5.7A, 4.5V 23mOhm @ 9.5A, 4.5V 24mOhm @ 7.8A, 5V
Vgs (Max) ±8V ±12V ±8V ±8V
Paquete Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
La disipación de energía (máximo) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V 20 V 20 V 20 V
Serie - PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V 42 nC @ 5 V
Característica de FET - - - -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A (Ta) 5.7A (Ta) 9.5A (Ta) 7.8A (Ta)

FDMA410NZT Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF FDMA410NZT y la documentación Fairchild Semiconductor para FDMA410NZT - Fairchild Semiconductor.

Hojas de datos
Datasheet.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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