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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaFDC6392S
Fairchild Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

FDC6392S - Fairchild Semiconductor

Fabricante Número de pieza
FDC6392S
Fabricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Número de pieza
32D-FDC6392S
Modelo ECAD
Descripción de piezas
2.2A, 20V, P-CHANNEL, MOSFET
Descripción detallada
Embalaje
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Ficha de datos
FDC6392S.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 5470

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas FDC6392S
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Fairchild Semiconductor - FDC6392S con especificaciones similares a Fairchild Semiconductor - FDC6392S

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
RDS (Max) @Id, Vgs 150mOhm @ 2.2A, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 960mW (Ta)  
Paquete / Cubierta SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paquete Bulk  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 369 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 5.2 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET Schottky Diode (Isolated)  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Ta)  
Número de producto base FDC6392  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Fairchild Semiconductor FDC6392S

Atributo del producto FDC6392S FDC640P FDC638P FDC638P
Número de pieza FDC6392S FDC640P FDC638P FDC638P
Fabricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
La disipación de energía (máximo) 960mW (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
Vgs (Max) ±12V ±12V ±8V ±8V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 369 pF @ 10 V 890 pF @ 10 V 1160 pF @ 10 V 1160 pF @ 10 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V 20 V 20 V 20 V
Paquete Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Característica de FET Schottky Diode (Isolated) - - -
RDS (Max) @Id, Vgs 150mOhm @ 2.2A, 4.5V 53mOhm @ 4.5A, 4.5V 48mOhm @ 4.5A, 4.5V 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
VGS (th) (Max) @Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Número de producto base FDC6392 FDC640 - FDC638
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 5.2 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V
Paquete del dispositivo SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Ta) 4.5A (Ta) 4.5A (Ta) 4.5A (Ta)
Paquete / Cubierta SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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El tiempo de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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