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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSPD30P06PGBTMA1
SPD30P06PGBTMA1 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

SPD30P06PGBTMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
SPD30P06PGBTMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-SPD30P06PGBTMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Descripción detallada
Embalaje
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de datos
SPD30P06PGBTMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 49950

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SPD30P06PGBTMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - SPD30P06PGBTMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - SPD30P06PGBTMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 1.7mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TO252-3  
Serie Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®  
RDS (Max) @Id, Vgs 75mOhm @ 21.5A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 125W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1535 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Número de producto base SPD30P06  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies SPD30P06PGBTMA1

Atributo del producto SPD30P06PGBTMA1 SPD50N03S2L-06 SPD30P06P SPD30N08S2L-21
Número de pieza SPD30P06PGBTMA1 SPD50N03S2L-06 SPD30P06P SPD30N08S2L-21
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 1.7mA 2V @ 85µA 4V @ 1.7mA 2V @ 80µA
RDS (Max) @Id, Vgs 75mOhm @ 21.5A, 10V 6.4mOhm @ 50A, 10V 75mOhm @ 21.5A, 10V 20.5mOhm @ 25A, 10V
Número de producto base SPD30P06 SPD50N SPD30P SPD30N
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1535 pF @ 25 V 2530 pF @ 25 V 1535 pF @ 25 V 2130 pF @ 25 V
Paquete del dispositivo PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 PG-TO252-3-11
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Característica de FET - - - -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 48 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 50A (Tc) 30A (Tc) 30A (Tc)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 30 V 60 V 75 V
La disipación de energía (máximo) 125W (Tc) 136W (Tc) 125W (Tc) 136W (Tc)
Serie Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® OptiMOS™ SIPMOS® OptiMOS™
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

SPD30P06PGBTMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SPD30P06PGBTMA1 y la documentación Infineon Technologies para SPD30P06PGBTMA1 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
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Europa Alemania 5
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Italia 5
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Japón 4
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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