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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSI4435DYTRPBF
SI4435DYTRPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

SI4435DYTRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
SI4435DYTRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-SI4435DYTRPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Descripción detallada
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de datos
SI4435DYTRPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 102730

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SI4435DYTRPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - SI4435DYTRPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - SI4435DYTRPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SO  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta)  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2320 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)  
Número de producto base SI4435  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies SI4435DYTRPBF

Atributo del producto SI4435DYTRPBF SI4435FDY-T1-GE3 SI4436DY-T1-GE3 SI4435DY
Número de pieza SI4435DYTRPBF SI4435FDY-T1-GE3 SI4436DY-T1-GE3 SI4435DY
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix onsemi
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 30 V 60 V 30 V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 60 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 24 nC @ 5 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta) 4.8W (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) 2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc) 12.6A (Tc) 8A (Tc) 8.8A (Ta)
RDS (Max) @Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V 19mOhm @ 9A, 10V 36mOhm @ 4.6A, 10V 20mOhm @ 8.8A, 10V
Paquete del dispositivo 8-SO 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Número de producto base SI4435 SI4435 SI4436 SI4435
Característica de FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2320 pF @ 15 V 1500 pF @ 15 V 1100 pF @ 30 V 1604 pF @ 15 V
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie HEXFET® TrenchFET® Gen III TrenchFET® PowerTrench®

SI4435DYTRPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SI4435DYTRPBF y la documentación Infineon Technologies para SI4435DYTRPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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