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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSI4435DY
SI4435DY Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

SI4435DY - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
SI4435DY
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-SI4435DY
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Descripción detallada
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de datos
SI4435DY.pdf
Existencias disponibles: 3900

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SI4435DY
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - SI4435DY con especificaciones similares a Infineon Technologies - SI4435DY

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SO  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta)  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2320 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies SI4435DY

Atributo del producto SI4435DY SI4435DY SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DY
Número de pieza SI4435DY SI4435DY SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DY
Fabricante Infineon Technologies onsemi Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc) 8.8A (Ta) 11.4A (Tc) 8A (Tc)
Paquete Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paquete del dispositivo 8-SO 8-SOIC 8-SOIC 8-SO
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RDS (Max) @Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V 20mOhm @ 8.8A, 10V 24mOhm @ 9.1A, 10V 20mOhm @ 8A, 10V
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) 2.5W (Ta)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 60 nC @ 10 V 24 nC @ 5 V 50 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Serie HEXFET® PowerTrench® TrenchFET® HEXFET®
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 30 V 30 V 30 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2320 pF @ 15 V 1604 pF @ 15 V 1350 pF @ 15 V 2320 pF @ 15 V
Característica de FET - - - -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

SI4435DY Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SI4435DY y la documentación Infineon Technologies para SI4435DY - Infineon Technologies.

Otros documentos relacionados
Part Number Guide.pdf
PCN obsolescencia/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Nueva Zelanda 5
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Japón 4
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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