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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSI4420DYTRPBF
SI4420DYTRPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

SI4420DYTRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
SI4420DYTRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-SI4420DYTRPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO
Descripción detallada
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de datos
SI4420DYTRPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 3860

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SI4420DYTRPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - SI4420DYTRPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - SI4420DYTRPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SO  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 9mOhm @ 12.5A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta)  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2240 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 78 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 12.5A (Ta)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies SI4420DYTRPBF

Atributo del producto SI4420DYTRPBF SI4420BDY-T1-E3 SI4421DY-T1-E3 SI4420DY
Número de pieza SI4420DYTRPBF SI4420BDY-T1-E3 SI4421DY-T1-E3 SI4420DY
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2240 pF @ 15 V - - 2180 pF @ 15 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta) 1.4W (Ta) 1.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Serie HEXFET® TrenchFET® TrenchFET® PowerTrench®
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 30 V 20 V 30 V
Paquete del dispositivo 8-SO 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA 3V @ 250µA 800mV @ 850µA 1V @ 250µA
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
RDS (Max) @Id, Vgs 9mOhm @ 12.5A, 10V 8.5mOhm @ 13.5A, 10V 8.75mOhm @ 14A, 4.5V 9mOhm @ 12.5A, 10V
Característica de FET - - - -
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 12.5A (Ta) 9.5A (Ta) 10A (Ta) 12.5A (Ta)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±8V ±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 78 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 125 nC @ 4.5 V 53 nC @ 5 V

SI4420DYTRPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SI4420DYTRPBF y la documentación Infineon Technologies para SI4420DYTRPBF - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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