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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRLR3110ZTRLPBF
IRLR3110ZTRLPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRLR3110ZTRLPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRLR3110ZTRLPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRLR3110ZTRLPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Descripción detallada
Embalaje
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de datos
IRLR3110ZTRLPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 32150

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRLR3110ZTRLPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRLR3110ZTRLPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRLR3110ZTRLPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D-Pak  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 14mOhm @ 38A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 140W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3980 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 48 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc)  
Número de producto base IRLR3110  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRLR3110ZTRLPBF

Atributo del producto IRLR3110ZTRLPBF IRLR3105PBF IRLR3303PBF IRLR3103TRRPBF
Número de pieza IRLR3110ZTRLPBF IRLR3105PBF IRLR3303PBF IRLR3103TRRPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc) 25A (Tc) 35A (Tc) 55A (Tc)
Número de producto base IRLR3110 - - -
Paquete del dispositivo D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 14mOhm @ 38A, 10V 37mOhm @ 15A, 10V 31mOhm @ 21A, 10V 19mOhm @ 33A, 10V
La disipación de energía (máximo) 140W (Tc) 57W (Tc) 68W (Tc) 107W (Tc)
Característica de FET - - - -
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 100µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3980 pF @ 25 V 710 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 55 V 30 V 30 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 48 nC @ 4.5 V 20 nC @ 5 V 26 nC @ 4.5 V 50 nC @ 4.5 V

IRLR3110ZTRLPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRLR3110ZTRLPBF y la documentación Infineon Technologies para IRLR3110ZTRLPBF - Infineon Technologies.

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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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