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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRLL024ZTRPBF
IRLL024ZTRPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRLL024ZTRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRLL024ZTRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRLL024ZTRPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Descripción detallada
Embalaje
TO-261-4, TO-261AA
Ficha de datos
IRLL024ZTRPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 84620

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRLL024ZTRPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRLL024ZTRPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRLL024ZTRPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SOT-223  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 60mOhm @ 3A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 1W (Ta)  
Paquete / Cubierta TO-261-4, TO-261AA  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 11 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 55 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc)  
Número de producto base IRLL024  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRLL024ZTRPBF

Atributo del producto IRLL024ZTRPBF IRLL024ZPBF IRLL110 IRLL110TRPBF
Número de pieza IRLL024ZTRPBF IRLL024ZPBF IRLL110 IRLL110TRPBF
Fabricante Infineon Technologies International Rectifier Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Característica de FET - - - -
Paquete / Cubierta TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
La disipación de energía (máximo) 1W (Ta) 1W (Ta) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Número de producto base IRLL024 - IRLL110 IRLL110
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 5V 4V, 5V
Serie HEXFET® HEXFET® - -
Vgs (Max) ±16V ±16V ±10V ±10V
RDS (Max) @Id, Vgs 60mOhm @ 3A, 10V 60mOhm @ 3A, 10V 540mOhm @ 900mA, 5V 540mOhm @ 900mA, 5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 55 V 55 V 100 V 100 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 11 nC @ 5 V 11 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 25 V 380 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Paquete Tape & Reel (TR) Bulk Tube Tape & Reel (TR)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc) 5A (Tc) 1.5A (Tc) 1.5A (Tc)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete del dispositivo SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IRLL024ZTRPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRLL024ZTRPBF y la documentación Infineon Technologies para IRLL024ZTRPBF - Infineon Technologies.

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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