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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRLH5036TRPBF
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRLH5036TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRLH5036TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRLH5036TRPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 60V 20A/100A 8PQFN
Descripción detallada
Embalaje
8-PowerVDFN
Ficha de datos
IRLH5036TRPBF.pdf
Existencias disponibles: 4370

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRLH5036TRPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRLH5036TRPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRLH5036TRPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 150µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 4.4mOhm @ 50A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 3.6W (Ta), 160W (Tc)  
Paquete / Cubierta 8-PowerVDFN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5360 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 90 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta), 100A (Tc)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRLH5036TRPBF

Atributo del producto IRLH5036TRPBF IRLH5034TRPBF IRLD024 IRLD110
Número de pieza IRLH5036TRPBF IRLH5034TRPBF IRLD024 IRLD110
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
La disipación de energía (máximo) 3.6W (Ta), 160W (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 90 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 18 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V
Paquete del dispositivo 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 4-HVMDIP 4-HVMDIP
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±10V ±10V
RDS (Max) @Id, Vgs 4.4mOhm @ 50A, 10V 2.4mOhm @ 50A, 10V 100mOhm @ 1.5A, 5V 540mOhm @ 600mA, 5V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Serie HEXFET® HEXFET® - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5360 pF @ 25 V 4730 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 5V 4V, 5V
Característica de FET - - - -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta), 100A (Tc) 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5A (Ta) 1A (Ta)
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 150µA 2.5V @ 150µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 40 V 60 V 100 V
Paquete / Cubierta 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm)

IRLH5036TRPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRLH5036TRPBF y la documentación Infineon Technologies para IRLH5036TRPBF - Infineon Technologies.

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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