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IRL3803VSPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRL3803VSPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRL3803VSPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRL3803VSPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Descripción detallada
Embalaje
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de datos
IRL3803VSPbF(LPbF).pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 4780

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRL3803VSPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRL3803VSPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRL3803VSPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D2PAK  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 5.5mOhm @ 71A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 3.8W (Ta), 200W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3720 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 76 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 140A (Tc)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRL3803VSPBF

Atributo del producto IRL3803VSPBF IRL510 IRL40B215 IRL40SC209
Número de pieza IRL3803VSPBF IRL510 IRL40B215 IRL40SC209
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Paquete Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4V, 5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±16V ±10V ±20V ±20V
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 76 nC @ 4.5 V 6.1 nC @ 5 V 84 nC @ 4.5 V 267 nC @ 4.5 V
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® - HEXFET®, StrongIRFET™ StrongIRFET™
RDS (Max) @Id, Vgs 5.5mOhm @ 71A, 10V 540mOhm @ 3.4A, 5V 2.7mOhm @ 98A, 10V 0.8mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 43W (Tc) 143W (Tc) 375W (Tc)
Característica de FET - - - -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 100 V 40 V 40 V
Paquete del dispositivo D2PAK TO-220AB TO-220AB D2PAK (7-Lead)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3720 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 5225 pF @ 25 V 15270 pF @ 25 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 140A (Tc) 5.6A (Tc) 120A (Tc) 478A (Tc)
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2.4V @ 100µA 2.4V @ 250µA

IRL3803VSPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRL3803VSPBF y la documentación Infineon Technologies para IRL3803VSPBF - Infineon Technologies.

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Hojas de datos
IRL3803VSPbF(LPbF).pdf

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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