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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRL2203NSTRLPBF
IRL2203NSTRLPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRL2203NSTRLPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRL2203NSTRLPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRL2203NSTRLPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Descripción detallada
Embalaje
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de datos
IRL2203NSTRLPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 4580

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRL2203NSTRLPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRL2203NSTRLPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRL2203NSTRLPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D2PAK  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 7mOhm @ 60A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 3.8W (Ta), 180W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3290 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 116A (Tc)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRL2203NSTRLPBF

Atributo del producto IRL2203NSTRLPBF IRL2203NLPBF IRL2505PBF IRL2203STRR
Número de pieza IRL2203NSTRLPBF IRL2203NLPBF IRL2505PBF IRL2203STRR
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Característica de FET - - - -
Paquete Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs 7mOhm @ 60A, 10V 7mOhm @ 60A, 10V 8mOhm @ 54A, 10V 7mOhm @ 60A, 10V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 116A (Tc) 116A (Tc) 104A (Tc) 100A (Tc)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 30 V 55 V 30 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V 60 nC @ 4.5 V 130 nC @ 5 V 110 nC @ 4.5 V
La disipación de energía (máximo) 3.8W (Ta), 180W (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) 200W (Tc) 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Paquete del dispositivo D2PAK TO-262 TO-220AB D²PAK (TO-263)
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3290 pF @ 25 V 3290 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRL2203NSTRLPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRL2203NSTRLPBF y la documentación Infineon Technologies para IRL2203NSTRLPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
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Europa Alemania 5
Reino Unido 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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