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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRFSL4310PBF
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRFSL4310PBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRFSL4310PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRFSL4310PBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 100V 130A TO262
Descripción detallada
Embalaje
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Ficha de datos
IRFSL4310PBF.pdf
Existencias disponibles: 5460

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRFSL4310PBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRFSL4310PBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRFSL4310PBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-262  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 7mOhm @ 75A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 300W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7670 pF @ 50 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 250 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 130A (Tc)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRFSL4310PBF

Atributo del producto IRFSL4310PBF IRFSL4610PBF IRFSL4010PBF IRFSL4410ZPBF
Número de pieza IRFSL4310PBF IRFSL4610PBF IRFSL4010PBF IRFSL4410ZPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paquete / Cubierta TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paquete Tube Tube Tube Tube
Paquete del dispositivo TO-262 TO-262 TO-262 TO-262
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 7mOhm @ 75A, 10V 14mOhm @ 44A, 10V 4.7mOhm @ 106A, 10V 9mOhm @ 58A, 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 250 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La disipación de energía (máximo) 300W (Tc) 190W (Tc) 375W (Tc) 230W (Tc)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7670 pF @ 50 V 3550 pF @ 50 V 9575 pF @ 50 V 4820 pF @ 50 V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 100 V 100 V 100 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 130A (Tc) 73A (Tc) 180A (Tc) 97A (Tc)
Característica de FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRFSL4310PBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRFSL4310PBF y la documentación Infineon Technologies para IRFSL4310PBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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Italia 5
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Nueva Zelanda 5
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Japón 4
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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