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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRFS3607TRLPBF
IRFS3607TRLPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRFS3607TRLPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRFS3607TRLPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRFS3607TRLPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Descripción detallada
Embalaje
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de datos
IRFS3607TRLPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 26672

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRFS3607TRLPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRFS3607TRLPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRFS3607TRLPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D2PAK  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 9mOhm @ 46A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 140W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3070 pF @ 50 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 84 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 75 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Número de producto base IRFS3607  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRFS3607TRLPBF

Atributo del producto IRFS3607TRLPBF IRFS350A IRFS3806PBF IRFS3806TRLPBF
Número de pieza IRFS3607TRLPBF IRFS350A IRFS3806PBF IRFS3806TRLPBF
Fabricante Infineon Technologies onsemi Infineon Technologies Infineon Technologies
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 75 V 400 V 60 V 60 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 11.5A (Tc) 43A (Tc) 43A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 84 nC @ 10 V 131 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Número de producto base IRFS3607 IRFS3 IRFS3806 IRFS3806
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-3P-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 50µA 4V @ 50µA
Paquete del dispositivo D2PAK TO-3PF D2PAK D2PAK
RDS (Max) @Id, Vgs 9mOhm @ 46A, 10V 300mOhm @ 5.75A, 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Paquete Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3070 pF @ 50 V 2780 pF @ 25 V 1150 pF @ 50 V 1150 pF @ 50 V
Característica de FET - - - -
La disipación de energía (máximo) 140W (Tc) 92W (Tc) 71W (Tc) 71W (Tc)

IRFS3607TRLPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRFS3607TRLPBF y la documentación Infineon Technologies para IRFS3607TRLPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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Italia 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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