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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRFP3006PBF
IRFP3006PBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
OPCIóN EXPRESA
Método de pago

IRFP3006PBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRFP3006PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRFP3006PBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 60V 195A TO247AC
Embalaje
TO-247-3
Ficha de datos
IRFP3006PBF.pdf
Estado RoHS
Nuestra certificación
Existencias disponibles: 15161

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Cantidad
OPCIóN EXPRESA
Método de pago
Nuestra certificación

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRFP3006PBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRFP3006PBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRFP3006PBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-247AC  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 2.5mOhm @ 170A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 375W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-247-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8970 pF @ 50 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc)  
Número de producto base IRFP3006  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRFP3006PBF

Atributo del producto IRFP3006PBF IRFP31N50LPBF IRFP2907PBF IRFP2907ZPBF
Número de pieza IRFP3006PBF IRFP31N50LPBF IRFP2907PBF IRFP2907ZPBF
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 300 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 620 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc) 31A (Tc) 209A (Tc) 90A (Tc)
Número de producto base IRFP3006 IRFP31 IRFP2907 IRFP2907
RDS (Max) @Id, Vgs 2.5mOhm @ 170A, 10V 180mOhm @ 19A, 10V 4.5mOhm @ 125A, 10V 4.5mOhm @ 90A, 10V
La disipación de energía (máximo) 375W (Tc) 460W (Tc) 470W (Tc) 310W (Tc)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie - - HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Paquete Tube Tube Tube Tube
Paquete del dispositivo TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Paquete / Cubierta TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 500 V 75 V 75 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Característica de FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8970 pF @ 50 V 5000 pF @ 25 V 13000 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V

IRFP3006PBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRFP3006PBF y la documentación Infineon Technologies para IRFP3006PBF - Infineon Technologies.

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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