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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRFP260NPBF
IRFP260NPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRFP260NPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRFP260NPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRFP260NPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Descripción detallada
Embalaje
TO-247-3
Ficha de datos
IRFP260NPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 12078

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRFP260NPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRFP260NPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRFP260NPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-247AC  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 40mOhm @ 28A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 300W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-247-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4057 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 234 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 200 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)  
Número de producto base IRFP260  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRFP260NPBF

Atributo del producto IRFP260NPBF IRFP264 IRFP260PBF IRFP254NPBF
Número de pieza IRFP260NPBF IRFP264 IRFP260PBF IRFP254NPBF
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Paquete del dispositivo TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Característica de FET - - - -
RDS (Max) @Id, Vgs 40mOhm @ 28A, 10V 75mOhm @ 23A, 10V 55mOhm @ 28A, 10V 125mOhm @ 14A, 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 234 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 230 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) 38A (Tc) 46A (Tc) 23A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4057 pF @ 25 V 5400 pF @ 25 V 5200 pF @ 25 V 2040 pF @ 25 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete Tube Tube Tube Tube
La disipación de energía (máximo) 300W (Tc) 280W (Tc) 280W (Tc) 220W (Tc)
Número de producto base IRFP260 IRFP264 IRFP260 IRFP254
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 200 V 250 V 200 V 250 V
Serie HEXFET® - - -
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Paquete / Cubierta TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IRFP260NPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRFP260NPBF y la documentación Infineon Technologies para IRFP260NPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
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Europa Alemania 5
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Italia 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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