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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRFP048N
IRFP048N Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRFP048N - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRFP048N
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRFP048N
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 55V 64A TO247AC
Descripción detallada
Embalaje
TO-247-3
Ficha de datos
IRFP048N.pdf
Existencias disponibles: 5420

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRFP048N
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRFP048N con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRFP048N

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-247AC  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 16mOhm @ 37A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 140W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-247-3  
Paquete Bag  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 89 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 55 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 64A (Tc)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRFP048N

Atributo del producto IRFP048N IRFP048PBF IRFP044PBF IRFP054N
Número de pieza IRFP048N IRFP048PBF IRFP044PBF IRFP054N
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
Paquete Bag Tube Tube Bag
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Característica de FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
RDS (Max) @Id, Vgs 16mOhm @ 37A, 10V 18mOhm @ 44A, 10V 28mOhm @ 34A, 10V 12mOhm @ 43A, 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 89 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 64A (Tc) 70A (Tc) 57A (Tc) 81A (Tc)
Paquete / Cubierta TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
La disipación de energía (máximo) 140W (Tc) 190W (Tc) 180W (Tc) 170W (Tc)
Paquete del dispositivo TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 55 V 60 V 60 V 55 V
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie HEXFET® - - HEXFET®

IRFP048N Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRFP048N y la documentación Infineon Technologies para IRFP048N - Infineon Technologies.

Otros documentos relacionados
IR Part Numbering System.pdf
PCN obsolescencia/ EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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Coste de envío

  1. Use su cuenta expresa para el envío si tiene una.
  2. Use nuestra cuenta para el envío.Consulte la tabla a continuación para obtener los cargos aproximados.
(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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