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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRFB7545PBF
IRFB7545PBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
OPCIóN EXPRESA
Método de pago

IRFB7545PBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRFB7545PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRFB7545PBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 60V 95A TO220
Embalaje
TO-220-3
Ficha de datos
IRFB7545PBF.pdf
Estado RoHS
Nuestra certificación
Existencias disponibles: 88800

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Cantidad
OPCIóN EXPRESA
Método de pago
Nuestra certificación

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRFB7545PBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRFB7545PBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRFB7545PBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 3.7V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
RDS (Max) @Id, Vgs 5.9mOhm @ 57A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 125W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4010 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 95A (Tc)  
Número de producto base IRFB7545  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRFB7545PBF

Atributo del producto IRFB7545PBF IRFB7534PBF IRFB7740PBF IRFB7730PBF
Número de pieza IRFB7545PBF IRFB7534PBF IRFB7740PBF IRFB7730PBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La disipación de energía (máximo) 125W (Tc) 294W (Tc) 143W (Tc) 375W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 110 nC @ 10 V 279 nC @ 10 V 122 nC @ 10 V 407 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @Id 3.7V @ 100µA 3.7V @ 250µA 3.7V @ 100µA 3.7V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Cubierta TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 60 V 75 V 75 V
Paquete Tube Tube Tube Tube
Número de producto base IRFB7545 IRFB7534 IRFB7740 IRFB7730
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 95A (Tc) 195A (Tc) 87A (Tc) 195A (Tc)
RDS (Max) @Id, Vgs 5.9mOhm @ 57A, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 7.3mOhm @ 52A, 10V 2.6mOhm @ 100A, 10V
Paquete del dispositivo TO-220 TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4010 pF @ 25 V 10034 pF @ 25 V 4650 pF @ 25 V 13660 pF @ 25 V
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ StrongIRFET™ HEXFET®
Característica de FET - - - -

IRFB7545PBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRFB7545PBF y la documentación Infineon Technologies para IRFB7545PBF - Infineon Technologies.

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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