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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRFB3206PBF
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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
OPCIóN EXPRESA
Método de pago

IRFB3206PBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRFB3206PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRFB3206PBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Embalaje
TO-220-3
Ficha de datos
IRFB3206PBF.pdf
Estado RoHS
Nuestra certificación
Existencias disponibles: 44300

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Cantidad
OPCIóN EXPRESA
Método de pago
Nuestra certificación

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRFB3206PBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRFB3206PBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRFB3206PBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220AB  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 3mOhm @ 75A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 300W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6540 pF @ 50 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  
Número de producto base IRFB3206  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRFB3206PBF

Atributo del producto IRFB3206PBF IRFB3207ZGPBF IRFB31N20DPBF IRFB3206GPBF
Número de pieza IRFB3206PBF IRFB3207ZGPBF IRFB31N20DPBF IRFB3206GPBF
Fabricante Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 150µA 4V @ 150µA 5.5V @ 250µA 4V @ 150µA
Característica de FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Número de producto base IRFB3206 - - IRFB3206
Paquete del dispositivo TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 31A (Tc) 120A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 170 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
La disipación de energía (máximo) 300W (Tc) 300W (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) 300W (Tc)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6540 pF @ 50 V 6920 pF @ 50 V 2370 pF @ 25 V 6540 pF @ 50 V
RDS (Max) @Id, Vgs 3mOhm @ 75A, 10V 4.1mOhm @ 75A, 10V 82mOhm @ 18A, 10V 3mOhm @ 75A, 10V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Paquete / Cubierta TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Paquete Tube Bulk Bulk Tube
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 75 V 200 V 60 V

IRFB3206PBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRFB3206PBF y la documentación Infineon Technologies para IRFB3206PBF - Infineon Technologies.

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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