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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRF9540NPBF
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
OPCIóN EXPRESA
Método de pago

IRF9540NPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF9540NPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF9540NPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Embalaje
TO-220-3
Ficha de datos
IRF9540NPBF.pdf
Estado RoHS
Nuestra certificación
Existencias disponibles: 56380

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Cantidad
OPCIóN EXPRESA
Método de pago
Nuestra certificación

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF9540NPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF9540NPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF9540NPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220AB  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 117mOhm @ 11A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 140W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 97 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc)  
Número de producto base IRF9540  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF9540NPBF

Atributo del producto IRF9540NPBF IRF9532 IRF9530STRRPBF IRF9540
Número de pieza IRF9540NPBF IRF9532 IRF9530STRRPBF IRF9540
Fabricante Infineon Technologies Harris Corporation Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-220AB TO-220AB D²PAK (TO-263) TO-220AB
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc) 10A (Tc) 12A (Tc) 19A (Tc)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V
Serie HEXFET® - - -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
La disipación de energía (máximo) 140W (Tc) 75W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 150W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 100 V 100 V 100 V
Paquete Tube Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
RDS (Max) @Id, Vgs 117mOhm @ 11A, 10V 400mOhm @ 6.5A, 10V 300mOhm @ 7.2A, 10V 200mOhm @ 11A, 10V
Característica de FET - - - -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 97 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Paquete / Cubierta TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Número de producto base IRF9540 - IRF9530 -
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

IRF9540NPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF9540NPBF y la documentación Infineon Technologies para IRF9540NPBF - Infineon Technologies.

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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