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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRF9520NSPBF
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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
OPCIóN EXPRESA
Método de pago

IRF9520NSPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF9520NSPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF9520NSPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Embalaje
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de datos
IRF9520NSPbF(LPbF).pdf
Nuestra certificación
Existencias disponibles: 5110

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Cantidad
OPCIóN EXPRESA
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Nuestra certificación

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF9520NSPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF9520NSPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF9520NSPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D2PAK  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 480mOhm @ 4A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 3.8W (Ta), 48W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 6.8A (Tc)  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF9520NSPBF

Atributo del producto IRF9520NSPBF IRF9520 IRF9520S IRF9520
Número de pieza IRF9520NSPBF IRF9520 IRF9520S IRF9520
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Harris Corporation
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 100 V 100 V 100 V
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 6.8A (Tc) 6.8A (Tc) 6.8A (Tc) 6A (Tc)
Paquete del dispositivo D2PAK TO-220AB D²PAK (TO-263) TO-220AB
Paquete Tube Tube Tube Bulk
RDS (Max) @Id, Vgs 480mOhm @ 4A, 10V 600mOhm @ 4.1A, 10V 600mOhm @ 4.1A, 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 390 pF @ 25 V 390 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 27 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
La disipación de energía (máximo) 3.8W (Ta), 48W (Tc) 60W (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) 40W (Tc)
Característica de FET - - - -
Serie HEXFET® - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3

IRF9520NSPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF9520NSPBF y la documentación Infineon Technologies para IRF9520NSPBF - Infineon Technologies.

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Hojas de datos
IRF9520NSPbF(LPbF).pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Modos de pago compatibles

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