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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-matricesIRF7506TR
IRF7506TR Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF7506TR - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF7506TR
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF7506TR
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
Descripción detallada
Embalaje
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Ficha de datos
IRF7506TR.pdf
Existencias disponibles: 3750

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF7506TR
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF7506TR con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF7506TR

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo Micro8™  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 270mOhm @ 1.2A, 10V  
Potencia - Max 1.25W  
Paquete / Cubierta 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Paquete Cut Tape (CT)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 11nC @ 10V  
Característica de FET Logic Level Gate  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A  
Configuración 2 P-Channel (Dual)  
Número de producto base IRF7506  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF7506TR

Atributo del producto IRF7506TR IRF7507TRPBF IRF7503TR IRF7506TRPBF
Número de pieza IRF7506TR IRF7507TRPBF IRF7503TR IRF7506TRPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA 700mV @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Potencia - Max 1.25W 1.25W 1.25W 1.25W
Paquete del dispositivo Micro8™ Micro8™ Micro8™ Micro8™
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 11nC @ 10V 8nC @ 4.5V 12nC @ 10V 11nC @ 10V
Paquete / Cubierta 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Característica de FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V 20V 30V 30V
Configuración 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Serie - HEXFET® - HEXFET®
Paquete Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Número de producto base IRF7506 IRF7507 IRF7503 IRF7506
RDS (Max) @Id, Vgs 270mOhm @ 1.2A, 10V 140mOhm @ 1.7A, 4.5V 135mOhm @ 1.7A, 10V 270mOhm @ 1.2A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V 260pF @ 15V 210pF @ 25V 180pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A 2.4A, 1.7A 2.4A 1.7A
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRF7506TR Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF7506TR y la documentación Infineon Technologies para IRF7506TR - Infineon Technologies.

Otros documentos relacionados
IR Part Numbering System.pdf
PCN obsolescencia/ EOL
Multiple Devices 25/May/2012.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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