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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF7468PBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF7468PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF7468PBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 40V 9.4A 8SO
Descripción detallada
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de datos
IRF7468PBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 5340

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF7468PBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF7468PBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF7468PBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SO  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 15.5mOhm @ 9.4A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta)  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2460 pF @ 20 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 34 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9.4A (Ta)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF7468PBF

Atributo del producto IRF7468PBF IRF7468TR IRF7468TRPBF IRF7466PBF
Número de pieza IRF7468PBF IRF7468TR IRF7468TRPBF IRF7466PBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Característica de FET - - - -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 34 nC @ 4.5 V 34 nC @ 4.5 V 34 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V
RDS (Max) @Id, Vgs 15.5mOhm @ 9.4A, 10V 15.5mOhm @ 9.4A, 10V 15.5mOhm @ 9.4A, 10V 12.5mOhm @ 11A, 10V
Paquete Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2460 pF @ 20 V 2460 pF @ 20 V 2460 pF @ 20 V 2100 pF @ 15 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Paquete del dispositivo 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9.4A (Ta) 9.4A (Ta) 9.4A (Ta) 11A (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40 V 40 V 40 V 30 V

IRF7468PBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF7468PBF y la documentación Infineon Technologies para IRF7468PBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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