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IRF7450TRPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF7450TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF7450TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF7450TRPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO
Descripción detallada
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de datos
IRF7450PbF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 4160

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF7450TRPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF7450TRPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF7450TRPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SO  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 170mOhm @ 1.5A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta)  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 940 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 200 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF7450TRPBF

Atributo del producto IRF7450TRPBF IRF7452PBF IRF7433TRPBF IRF7452
Número de pieza IRF7450TRPBF IRF7452PBF IRF7433TRPBF IRF7452
Fabricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±30V ±30V ±8V ±30V
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 200 V 100 V 12 V 100 V
RDS (Max) @Id, Vgs 170mOhm @ 1.5A, 10V 60mOhm @ 2.7A, 10V 24mOhm @ 8.7A, 4.5V 60mOhm @ 2.7A, 10V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 1.8V, 4.5V 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 940 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V 1877 pF @ 10 V 930 pF @ 25 V
Característica de FET - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @Id 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 900mV @ 250µA 5.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 39 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 20 nC @ 4.5 V 50 nC @ 10 V
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Paquete del dispositivo 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta) 4.5A (Ta) 8.9A (Ta) 4.5A (Ta)
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel

IRF7450TRPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF7450TRPBF y la documentación Infineon Technologies para IRF7450TRPBF - Infineon Technologies.

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Hojas de datos
IRF7450PbF.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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