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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRF7402TRPBF
IRF7402TRPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF7402TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF7402TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF7402TRPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO
Descripción detallada
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de datos
IRF7402TRPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 4590

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF7402TRPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF7402TRPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF7402TRPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SO  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 35mOhm @ 4.1A, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta)  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 6.8A (Ta)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF7402TRPBF

Atributo del producto IRF7402TRPBF IRF7403PBF IRF7402PBF IRF7401PBF
Número de pieza IRF7402TRPBF IRF7403PBF IRF7402PBF IRF7401PBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V 57 nC @ 10 V 22 nC @ 4.5 V 48 nC @ 4.5 V
RDS (Max) @Id, Vgs 35mOhm @ 4.1A, 4.5V 22mOhm @ 4A, 10V 35mOhm @ 4.1A, 4.5V 22mOhm @ 4.1A, 4.5V
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V 4.5V, 10V 2.7V, 4.5V 2.7V, 4.5V
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 6.8A (Ta) 8.5A (Ta) 6.8A (Ta) 8.7A (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 15 V 1200 pF @ 25 V 650 pF @ 15 V 1600 pF @ 15 V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V 30 V 20 V 20 V
Paquete del dispositivo 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
VGS (th) (Max) @Id 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±12V ±20V ±12V ±12V
Paquete Tape & Reel (TR) Tube Tube Bulk
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Característica de FET - - - -

IRF7402TRPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF7402TRPBF y la documentación Infineon Technologies para IRF7402TRPBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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