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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-matricesIRF7301PBF
IRF7301PBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
OPCIóN EXPRESA
Método de pago

IRF7301PBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF7301PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF7301PBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de datos
IRF7301PBF.pdf
Estado RoHS
Nuestra certificación
Existencias disponibles: 3970

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Cantidad
OPCIóN EXPRESA
Método de pago
Nuestra certificación

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF7301PBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF7301PBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF7301PBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 700mV @ 250µA  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SO  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 50mOhm @ 2.6A, 4.5V  
Potencia - Max 2W  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 20nC @ 4.5V  
Característica de FET Logic Level Gate  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A  
Configuración 2 N-Channel (Dual)  
Número de producto base IRF73  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF7301PBF

Atributo del producto IRF7301PBF IRF7303TRPBF IRF7304 IRF7301TRPBF
Número de pieza IRF7301PBF IRF7303TRPBF IRF7304 IRF7301TRPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Configuración 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A 4.9A 4.3A 5.2A
Número de producto base IRF73 IRF73 IRF73 IRF73
Paquete del dispositivo 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
VGS (th) (Max) @Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA 700mV @ 250µA 700mV @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potencia - Max 2W 2W 2W 2W
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
RDS (Max) @Id, Vgs 50mOhm @ 2.6A, 4.5V 50mOhm @ 2.4A, 10V 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V 520pF @ 25V 610pF @ 15V 660pF @ 15V
Paquete Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 20nC @ 4.5V 25nC @ 10V 22nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V
Característica de FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20V 30V 20V 20V

IRF7301PBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF7301PBF y la documentación Infineon Technologies para IRF7301PBF - Infineon Technologies.

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Modo de transporte

El tiempo de entrega

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Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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