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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRF7210TRPBF
IRF7210TRPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF7210TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF7210TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF7210TRPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Descripción detallada
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de datos
IRF7210PbF.pdf
Existencias disponibles: 4830

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF7210TRPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF7210TRPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF7210TRPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 600mV @ 500µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SO  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 7mOhm @ 16A, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta)  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 17179 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 212 nC @ 5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 12 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF7210TRPBF

Atributo del producto IRF7210TRPBF IRF7220 IRF720PBF IRF7233
Número de pieza IRF7210TRPBF IRF7220 IRF720PBF IRF7233
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 12 V 14 V 400 V 12 V
Vgs (Max) ±12V ±12V ±20V ±12V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta) 11A (Ta) 3.3A (Tc) 9.5A (Ta)
Característica de FET - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Paquete Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 50W (Tc) 2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete del dispositivo 8-SO 8-SO TO-220AB 8-SO
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 10V 2.5V, 4.5V
RDS (Max) @Id, Vgs 7mOhm @ 16A, 4.5V 12mOhm @ 11A, 4.5V 1.8Ohm @ 2A, 10V 20mOhm @ 9.5A, 4.5V
VGS (th) (Max) @Id 600mV @ 500µA (Min) 600mV @ 250µA (Min) 4V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min)
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 212 nC @ 5 V 125 nC @ 5 V 20 nC @ 10 V 74 nC @ 5 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 17179 pF @ 10 V 8075 pF @ 10 V 410 pF @ 25 V 6000 pF @ 10 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF7210TRPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF7210TRPBF y la documentación Infineon Technologies para IRF7210TRPBF - Infineon Technologies.

Otros documentos relacionados
IR Part Numbering System.pdf
PCN obsolescencia/ EOL
Multiple Devices 14/Dec/2012.pdf
Hojas de datos
IRF7210PbF.pdf

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  2. Use nuestra cuenta para el envío.Consulte la tabla a continuación para obtener los cargos aproximados.
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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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