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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-matricesIRF7103QTRPBF
IRF7103QTRPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
OPCIóN EXPRESA
Método de pago

IRF7103QTRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF7103QTRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF7103QTRPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de datos
IRF7103QPbF.pdf
Estado RoHS
Nuestra certificación
Existencias disponibles: 5320

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Cantidad
OPCIóN EXPRESA
Método de pago
Nuestra certificación

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF7103QTRPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF7103QTRPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF7103QTRPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SO  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V  
Potencia - Max 2.4W  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Cut Tape (CT)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 255pF @ 25V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 15nC @ 10V  
Característica de FET -  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 50V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 3A  
Configuración 2 N-Channel (Dual)  
Número de producto base IRF71  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF7103QTRPBF

Atributo del producto IRF7103QTRPBF IRF7103Q IRF7103TRPBF IRF7103PBF
Número de pieza IRF7103QTRPBF IRF7103Q IRF7103TRPBF IRF7103PBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
RDS (Max) @Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V
Paquete Cut Tape (CT) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Paquete del dispositivo 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 3A 3A 3A 3A
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configuración 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Potencia - Max 2.4W 2.4W 2W 2W
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 50V 50V 50V 50V
Número de producto base IRF71 IRF71 IRF71 IRF71
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 15nC @ 10V 15nC @ 10V 30nC @ 10V 30nC @ 10V
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 255pF @ 25V 255pF @ 25V 290pF @ 25V 290pF @ 25V
Característica de FET - - - -

IRF7103QTRPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF7103QTRPBF y la documentación Infineon Technologies para IRF7103QTRPBF - Infineon Technologies.

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Hojas de datos
IRF7103QPbF.pdf

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Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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