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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRF6648TRPBF
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF6648TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF6648TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF6648TRPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Descripción detallada
Embalaje
DirectFET™ Isometric MN
Ficha de datos
IRF6648TRPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 32641

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF6648TRPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF6648TRPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF6648TRPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4.9V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo DIRECTFET™ MN  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 7mOhm @ 17A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Paquete / Cubierta DirectFET™ Isometric MN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2120 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 86A (Tc)  
Número de producto base IRF6648  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF6648TRPBF

Atributo del producto IRF6648TRPBF IRF6648TR1 IRF6655TR1PBF IRF6646TR1PBF
Número de pieza IRF6648TRPBF IRF6648TR1 IRF6655TR1PBF IRF6646TR1PBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete del dispositivo DIRECTFET™ MN DIRECTFET™ MN DIRECTFET™ SH DIRECTFET™ MN
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2120 pF @ 25 V 2120 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 2060 pF @ 25 V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta DirectFET™ Isometric MN DirectFET™ Isometric MN DirectFET™ Isometric SH DirectFET™ Isometric MN
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Número de producto base IRF6648 - - -
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La disipación de energía (máximo) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 86A (Tc) 86A (Tc) 4.2A (Ta), 19A (Tc) 12A (Ta), 68A (Tc)
RDS (Max) @Id, Vgs 7mOhm @ 17A, 10V 7mOhm @ 17A, 10V 62mOhm @ 5A, 10V 9.5mOhm @ 12A, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 60 V 100 V 80 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 50 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 11.7 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @Id 4.9V @ 150µA 4.9V @ 150µA 4.8V @ 25µA 4.9V @ 150µA
Característica de FET - - - -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)

IRF6648TRPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF6648TRPBF y la documentación Infineon Technologies para IRF6648TRPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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Italia 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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