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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRF6217TRPBF
IRF6217TRPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF6217TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF6217TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF6217TRPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 150V 700MA 8SO
Descripción detallada
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de datos
IRF6217TRPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 5410

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF6217TRPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF6217TRPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF6217TRPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SO  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 2.4Ohm @ 420mA, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta)  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 9 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 700mA (Ta)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF6217TRPBF

Atributo del producto IRF6217TRPBF IRF6216TRPBF-1 IRF6216TRPBF IRF6218PBF
Número de pieza IRF6217TRPBF IRF6216TRPBF-1 IRF6216TRPBF IRF6218PBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 700mA (Ta) 2.2A (Ta) 2.2A (Ta) 27A (Tc)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V 1280 pF @ 25 V 1280 pF @ 25 V 2210 pF @ 25 V
Característica de FET - - - -
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 2.4Ohm @ 420mA, 10V 240mOhm @ 1.3A, 10V 240mOhm @ 1.3A, 10V 150mOhm @ 16A, 10V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 250W (Tc)
Paquete del dispositivo 8-SO SOT-223 8-SO TO-220AB
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 9 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150 V 150 V 150 V 150 V
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-261-4, TO-261AA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3

IRF6217TRPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF6217TRPBF y la documentación Infineon Technologies para IRF6217TRPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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