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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRF2903ZSPBF
IRF2903ZSPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
OPCIóN EXPRESA
Método de pago

IRF2903ZSPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF2903ZSPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF2903ZSPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Embalaje
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de datos
IRF2903ZSPBF.pdf
Estado RoHS
Nuestra certificación
Existencias disponibles: 4150

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Cantidad
OPCIóN EXPRESA
Método de pago
Nuestra certificación

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF2903ZSPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF2903ZSPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF2903ZSPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D2PAK  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 2.4mOhm @ 75A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 231W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6320 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF2903ZSPBF

Atributo del producto IRF2903ZSPBF IRF2807ZSTRLPBF IRF2807ZSPBF IRF2903ZPBF
Número de pieza IRF2903ZSPBF IRF2807ZSTRLPBF IRF2807ZSPBF IRF2903ZPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 75 V 75 V 30 V
Paquete Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA
Característica de FET - - - -
La disipación de energía (máximo) 231W (Tc) 170W (Tc) 170W (Tc) 290W (Tc)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
RDS (Max) @Id, Vgs 2.4mOhm @ 75A, 10V 9.4mOhm @ 53A, 10V 9.4mOhm @ 53A, 10V 2.4mOhm @ 75A, 10V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 240 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6320 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V 6320 pF @ 25 V
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Paquete del dispositivo D2PAK D2PAK PG-TO263-3-2 TO-220AB

IRF2903ZSPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF2903ZSPBF y la documentación Infineon Technologies para IRF2903ZSPBF - Infineon Technologies.

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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