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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRF200B211
IRF200B211 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF200B211 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF200B211
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF200B211
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Descripción detallada
Embalaje
TO-220-3
Ficha de datos
IRF200B211.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 69080

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF200B211
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF200B211 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF200B211

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4.9V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220AB  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
RDS (Max) @Id, Vgs 170mOhm @ 7.2A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 80W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 50 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 200 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)  
Número de producto base IRF200  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF200B211

Atributo del producto IRF200B211 IRF200S234 IRF1902GTRPBF IRF200P223
Número de pieza IRF200B211 IRF200S234 IRF1902GTRPBF IRF200P223
Fabricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
La disipación de energía (máximo) 80W (Tc) 417W (Tc) - 313W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 23 nC @ 10 V 162 nC @ 10 V 7.5 nC @ 4.5 V 102 nC @ 10 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 200 V 200 V 20 V 200 V
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ - HEXFET® StrongIRFET™
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 50 V 6484 pF @ 50 V 310 pF @ 15 V 5094 pF @ 50 V
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Característica de FET - - - -
Paquete / Cubierta TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-247-3
VGS (th) (Max) @Id 4.9V @ 50µA 5V @ 250µA 700mV @ 250µA 4V @ 270µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Número de producto base IRF200 - - IRF200
RDS (Max) @Id, Vgs 170mOhm @ 7.2A, 10V 16.9mOhm @ 51A, 10V 85mOhm @ 4A, 4.5V 11.5mOhm @ 60A, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) 90A 4.2A (Ta) 100A (Tc)
Paquete del dispositivo TO-220AB PG-TO263-3 8-SO TO-247AC
Paquete Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole

IRF200B211 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF200B211 y la documentación Infineon Technologies para IRF200B211 - Infineon Technologies.

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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