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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIPW60R041C6FKSA1
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IPW60R041C6FKSA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IPW60R041C6FKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IPW60R041C6FKSA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Descripción detallada
Embalaje
TO-247-3
Ficha de datos
IPW60R041C6FKSA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 3152

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IPW60R041C6FKSA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IPW60R041C6FKSA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IPW60R041C6FKSA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 3.5V @ 2.96mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TO247-3-1  
Serie CoolMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 41mOhm @ 44.4A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 481W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-247-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6530 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 290 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 77.5A (Tc)  
Número de producto base IPW60R041  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IPW60R041C6FKSA1

Atributo del producto IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041P6FKSA1 IPW60R040C7XKSA1 IPW60R041C6
Número de pieza IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041P6FKSA1 IPW60R040C7XKSA1 IPW60R041C6
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @Id 3.5V @ 2.96mA 4.5V @ 2.96mA 4V @ 1.24mA -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6530 pF @ 10 V 8180 pF @ 100 V 4340 pF @ 400 V -
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 290 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V -
La disipación de energía (máximo) 481W (Tc) 481W (Tc) 227W (Tc) -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 77.5A (Tc) 77.5A (Tc) 50A (Tc) -
Paquete Tube Tube Tube -
Característica de FET - - - -
Paquete del dispositivo PG-TO247-3-1 PG-TO247-3 PG-TO247-3 -
Paquete / Cubierta TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 -
Número de producto base IPW60R041 IPW60R041 IPW60R040 -
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ P6 CoolMOS™ C7 -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
RDS (Max) @Id, Vgs 41mOhm @ 44.4A, 10V 41mOhm @ 35.5A, 10V 40mOhm @ 24.9A, 10V -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V 600 V 600 V -

IPW60R041C6FKSA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IPW60R041C6FKSA1 y la documentación Infineon Technologies para IPW60R041C6FKSA1 - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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