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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIPT020N10N3ATMA1
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IPT020N10N3ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IPT020N10N3ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IPT020N10N3ATMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Descripción detallada
Embalaje
8-PowerSFN
Ficha de datos
IPT020N10N3ATMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 6997

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IPT020N10N3ATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IPT020N10N3ATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IPT020N10N3ATMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 3.5V @ 272µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-HSOF-8-1  
Serie OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 2mOhm @ 150A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 375W (Tc)  
Paquete / Cubierta 8-PowerSFN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 11200 pF @ 50 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 156 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 300A (Tc)  
Número de producto base IPT020  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IPT020N10N3ATMA1

Atributo del producto IPT020N10N3ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 IPT012N08N5ATMA1 IPT012N06NATMA1
Número de pieza IPT020N10N3ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 IPT012N08N5ATMA1 IPT012N06NATMA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paquete del dispositivo PG-HSOF-8-1 PG-HSOF-8-1 PG-HSOF-8-1 PG-HSOF-8-1
La disipación de energía (máximo) 375W (Tc) 375W (Tc) 375W (Tc) 214W (Tc)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 156 nC @ 10 V 211 nC @ 10 V 223 nC @ 10 V 124 nC @ 10 V
Característica de FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @Id 3.5V @ 272µA 3.8V @ 250µA 3.8V @ 280µA 3.3V @ 143µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 11200 pF @ 50 V 16000 pF @ 50 V 17000 pF @ 40 V 9750 pF @ 30 V
Paquete / Cubierta 8-PowerSFN 8-PowerSFN 8-PowerSFN 8-PowerSFN
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 100 V 80 V 60 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 300A (Tc) 300A (Tc) 300A (Tc) 240A (Tc)
Número de producto base IPT020 IPT015 IPT012 IPT012
RDS (Max) @Id, Vgs 2mOhm @ 150A, 10V 1.5mOhm @ 150A, 10V 1.2mOhm @ 150A, 10V 1.2mOhm @ 100A, 10V

IPT020N10N3ATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IPT020N10N3ATMA1 y la documentación Infineon Technologies para IPT020N10N3ATMA1 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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Italia 5
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Japón 4
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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