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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIPL65R195C7AUMA1
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IPL65R195C7AUMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IPL65R195C7AUMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IPL65R195C7AUMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
Descripción detallada
Embalaje
4-PowerTSFN
Ficha de datos
IPL65R195C7AUMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 22344

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IPL65R195C7AUMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IPL65R195C7AUMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IPL65R195C7AUMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 290µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-VSON-4  
Serie CoolMOS™ C7  
RDS (Max) @Id, Vgs 195mOhm @ 2.9A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 75W (Tc)  
Paquete / Cubierta 4-PowerTSFN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 400 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 650 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)  
Número de producto base IPL65R  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IPL65R195C7AUMA1

Atributo del producto IPL65R195C7AUMA1 IPL65R165CFD IPL65R099C7AUMA1 IPL65R190E6
Número de pieza IPL65R195C7AUMA1 IPL65R165CFD IPL65R099C7AUMA1 IPL65R190E6
Fabricante Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Infineon Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 23 nC @ 10 V - - -
Característica de FET - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 400 V - - -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ) - - -
Paquete Tape & Reel (TR) - - -
Paquete del dispositivo PG-VSON-4 - - -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Tipo FET N-Channel - - -
Número de producto base IPL65R - - -
La disipación de energía (máximo) 75W (Tc) - - -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) - - -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) - - -
Tipo de montaje Surface Mount - - -
RDS (Max) @Id, Vgs 195mOhm @ 2.9A, 10V - - -
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 290µA - - -
Serie CoolMOS™ C7 - - -
Paquete / Cubierta 4-PowerTSFN - - -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 650 V - - -

IPL65R195C7AUMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IPL65R195C7AUMA1 y la documentación Infineon Technologies para IPL65R195C7AUMA1 - Infineon Technologies.

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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