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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-matricesIPG20N06S415AATMA1
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IPG20N06S415AATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IPG20N06S415AATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IPG20N06S415AATMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Descripción detallada
Embalaje
8-PowerVDFN
Ficha de datos
IPG20N06S415AATMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 4960

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IPG20N06S415AATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IPG20N06S415AATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IPG20N06S415AATMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 20µA  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TDSON-8-10  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 15.5mOhm @ 17A, 10V  
Potencia - Max 50W  
Paquete / Cubierta 8-PowerVDFN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount, Wettable Flank  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 25V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 29nC @ 10V  
Característica de FET -  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 20A  
Configuración 2 N-Channel (Dual)  
Número de producto base IPG20N  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IPG20N06S415AATMA1

Atributo del producto IPG20N06S415AATMA1 IPG20N06S3L-23 IPG20N06S415ATMA2 IPG20N06S2L50ATMA1
Número de pieza IPG20N06S415AATMA1 IPG20N06S3L-23 IPG20N06S415ATMA2 IPG20N06S2L50ATMA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
RDS (Max) @Id, Vgs 15.5mOhm @ 17A, 10V 23mOhm @ 16A, 10V 15.5mOhm @ 17A, 10V 50mOhm @ 15A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Potencia - Max 50W 45W 50W 51W
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 25V 2950pF @ 25V 2260pF @ 25V 560pF @ 25V
Característica de FET - Logic Level Gate - Logic Level Gate
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 29nC @ 10V 42nC @ 10V 29nC @ 10V 17nC @ 10V
Configuración 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Tipo de montaje Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 20A 20A 20A 20A
Paquete / Cubierta 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60V 55V 60V 55V
Número de producto base IPG20N IPG20N IPG20N IPG20N
Paquete del dispositivo PG-TDSON-8-10 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 20µA 2.2V @ 20µA 4V @ 20µA 2V @ 19µA
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

IPG20N06S415AATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IPG20N06S415AATMA1 y la documentación Infineon Technologies para IPG20N06S415AATMA1 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Nueva Zelanda 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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