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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIPD90N04S405ATMA1
IPD90N04S405ATMA1 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IPD90N04S405ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IPD90N04S405ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IPD90N04S405ATMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3
Descripción detallada
Embalaje
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de datos
IPD90N04S405ATMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 66510

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IPD90N04S405ATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IPD90N04S405ATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IPD90N04S405ATMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 30µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TO252-3-313  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 5.2mOhm @ 86A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 65W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2960 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 37 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 86A (Tc)  
Número de producto base IPD90  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IPD90N04S405ATMA1

Atributo del producto IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S4L04ATMA1 IPD90N04S402ATMA1
Número de pieza IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S4L04ATMA1 IPD90N04S402ATMA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Número de producto base IPD90 IPD90 IPD90 IPD90
Característica de FET - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2960 pF @ 25 V 3440 pF @ 25 V 4690 pF @ 25 V 9430 pF @ 25 V
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paquete del dispositivo PG-TO252-3-313 PG-TO252-3-313 PG-TO252-3-313 PG-TO252-3-313
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 37 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 118 nC @ 10 V
RDS (Max) @Id, Vgs 5.2mOhm @ 86A, 10V 4.1mOhm @ 90A, 10V 3.8mOhm @ 90A, 10V 2.4mOhm @ 90A, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 86A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc)
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 30µA 4V @ 35.2mA 2.2V @ 35µA 4V @ 95µA
Vgs (Max) ±20V ±20V +20V, -16V ±20V
La disipación de energía (máximo) 65W (Tc) 71W (Tc) 71W (Tc) 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40 V 40 V 40 V 40 V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

IPD90N04S405ATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IPD90N04S405ATMA1 y la documentación Infineon Technologies para IPD90N04S405ATMA1 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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