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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIPD70P04P409ATMA1
IPD70P04P409ATMA1 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IPD70P04P409ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IPD70P04P409ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IPD70P04P409ATMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Descripción detallada
Embalaje
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de datos
IPD70P04P409ATMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 40790

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IPD70P04P409ATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IPD70P04P409ATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IPD70P04P409ATMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 120µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TO252-3-313  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 8.9mOhm @ 70A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 75W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4810 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 70 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 73A (Tc)  
Número de producto base IPD70  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IPD70P04P409ATMA1

Atributo del producto IPD70P04P409ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70P04P4L08ATMA2
Número de pieza IPD70P04P409ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70P04P4L08ATMA2
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Número de producto base IPD70 IPD70 IPD70 IPD70
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 70 nC @ 10 V 77 nC @ 10 V 4.7 nC @ 10 V 92 nC @ 10 V
Paquete del dispositivo PG-TO252-3-313 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 PG-TO252-3-313
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ CoolMOS™ P7 OptiMOS®-P2
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±16V +5V, -16V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 73A (Tc) 70A (Tc) 4A (Tc) 70A (Tc)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Característica de FET - - - -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40 V 100 V 700 V 40 V
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 120µA 2.4V @ 83µA 3.5V @ 40µA 2.2V @ 120µA
RDS (Max) @Id, Vgs 8.9mOhm @ 70A, 10V 11.5mOhm @ 70A, 10V 1.4Ohm @ 700mA, 10V 7.8mOhm @ 70A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4810 pF @ 25 V 5550 pF @ 25 V 158 pF @ 400 V 5430 pF @ 25 V
La disipación de energía (máximo) 75W (Tc) 125W (Tc) 23W (Tc) 75W (Tc)
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

IPD70P04P409ATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IPD70P04P409ATMA1 y la documentación Infineon Technologies para IPD70P04P409ATMA1 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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Italia 5
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Nueva Zelanda 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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