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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IPD30N10S3L34ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IPD30N10S3L34ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IPD30N10S3L34ATMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
Descripción detallada
Embalaje
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de datos
IPD30N10S3L34ATMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 49400

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IPD30N10S3L34ATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IPD30N10S3L34ATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IPD30N10S3L34ATMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 2.4V @ 29µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TO252-3-11  
Serie OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 31mOhm @ 30A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 57W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1976 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Número de producto base IPD30N10  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IPD30N10S3L34ATMA1

Atributo del producto IPD30N10S3L34ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 IPD320N20N3GATMA1 IPD33CN10NGATMA1
Número de pieza IPD30N10S3L34ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 IPD320N20N3GATMA1 IPD33CN10NGATMA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
RDS (Max) @Id, Vgs 31mOhm @ 30A, 10V 20.5mOhm @ 25A, 10V 32mOhm @ 34A, 10V 33mOhm @ 27A, 10V
La disipación de energía (máximo) 57W (Tc) 136W (Tc) 136W (Tc) 58W (Tc)
Paquete del dispositivo PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 PG-TO252-3
Característica de FET - - - -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 30A (Tc) 34A (Tc) 27A (Tc)
VGS (th) (Max) @Id 2.4V @ 29µA 2V @ 80µA 4V @ 90µA 4V @ 29µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1976 pF @ 25 V 1650 pF @ 25 V 2350 pF @ 100 V 1570 pF @ 50 V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 75 V 200 V 100 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 31 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Número de producto base IPD30N10 IPD30N08 IPD320 IPD33CN10
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

IPD30N10S3L34ATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IPD30N10S3L34ATMA1 y la documentación Infineon Technologies para IPD30N10S3L34ATMA1 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
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Europa Alemania 5
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Italia 5
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Nueva Zelanda 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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