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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIPD30N06S4L23ATMA2
IPD30N06S4L23ATMA2 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IPD30N06S4L23ATMA2 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IPD30N06S4L23ATMA2
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IPD30N06S4L23ATMA2
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31
Descripción detallada
Embalaje
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de datos
IPD30N06S4L23ATMA2.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 71930

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IPD30N06S4L23ATMA2
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IPD30N06S4L23ATMA2 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IPD30N06S4L23ATMA2

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 2.2V @ 10µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TO252-3-11  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 23mOhm @ 30A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 36W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1560 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 21 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Número de producto base IPD30N06  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IPD30N06S4L23ATMA2

Atributo del producto IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA1 IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L23ATMA3
Número de pieza IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA1 IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L23ATMA3
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Característica de FET - - - -
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Número de producto base IPD30N06 IPD30N IPD30N06 IPD30N06
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 30A (Tc) 30A (Tc) 30A (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La disipación de energía (máximo) 36W (Tc) 36W (Tc) 136W (Tc) 100W (Tc)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 60 V 55 V 55 V
VGS (th) (Max) @Id 2.2V @ 10µA 2.2V @ 10µA 2V @ 80µA 2V @ 50µA
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 21 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V
Paquete del dispositivo PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11
RDS (Max) @Id, Vgs 23mOhm @ 30A, 10V 23mOhm @ 30A, 10V 13mOhm @ 30A, 10V 23mOhm @ 22A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1560 pF @ 25 V 1560 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 1091 pF @ 25 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

IPD30N06S4L23ATMA2 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IPD30N06S4L23ATMA2 y la documentación Infineon Technologies para IPD30N06S4L23ATMA2 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
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Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Nueva Zelanda 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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