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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIPD26N06S2L35ATMA2
IPD26N06S2L35ATMA2 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IPD26N06S2L35ATMA2 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IPD26N06S2L35ATMA2
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IPD26N06S2L35ATMA2
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Descripción detallada
Embalaje
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de datos
IPD26N06S2L35ATMA2.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 66230

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IPD26N06S2L35ATMA2
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IPD26N06S2L35ATMA2 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IPD26N06S2L35ATMA2

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 26µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TO252-3-11  
Serie OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 35mOhm @ 13A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 68W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 621 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 55 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Número de producto base IPD26N06  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IPD26N06S2L35ATMA2

Atributo del producto IPD26N06S2L35ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L-30 IPD26N06S2L-35 MOS
Número de pieza IPD26N06S2L35ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L-30 IPD26N06S2L-35 MOS
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 621 pF @ 25 V 1220 pF @ 25 V - -
Característica de FET - - - -
Paquete del dispositivo PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 - -
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
La disipación de energía (máximo) 68W (Tc) 29W (Tc) - -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 25A (Tc) - -
Vgs (Max) ±20V ±16V - -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Número de producto base IPD26N06 IPD25N06 - -
Serie OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ - -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 55 V 60 V - -
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
RDS (Max) @Id, Vgs 35mOhm @ 13A, 10V 30mOhm @ 25A, 10V - -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 24 nC @ 10 V 16.3 nC @ 10 V - -
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 26µA 2.2V @ 8µA - -

IPD26N06S2L35ATMA2 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IPD26N06S2L35ATMA2 y la documentación Infineon Technologies para IPD26N06S2L35ATMA2 - Infineon Technologies.

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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