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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IPD068N10N3GATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IPD068N10N3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IPD068N10N3GATMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Descripción detallada
Embalaje
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de datos
IPD068N10N3GATMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 32880

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IPD068N10N3GATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IPD068N10N3GATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IPD068N10N3GATMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 3.5V @ 90µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TO252-3  
Serie OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 6.8mOhm @ 90A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 150W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4910 pF @ 50 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)  
Número de producto base IPD068  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IPD068N10N3GATMA1

Atributo del producto IPD068N10N3GATMA1 IPD06N03LAG IPD060N03LG IPD060N03LGATMA1
Número de pieza IPD068N10N3GATMA1 IPD06N03LAG IPD060N03LG IPD060N03LGATMA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4910 pF @ 50 V 2653 pF @ 15 V 2300 pF @ 15 V 2400 pF @ 15 V
RDS (Max) @Id, Vgs 6.8mOhm @ 90A, 10V 5.7mOhm @ 30A, 10V 6mOhm @ 30A, 10V 6mOhm @ 30A, 10V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™3 OptiMOS™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc)
La disipación de energía (máximo) 150W (Tc) 83W (Tc) 56W (Tc) 56W (Tc)
VGS (th) (Max) @Id 3.5V @ 90µA 2V @ 40µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Paquete Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paquete del dispositivo PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3
Característica de FET - - - -
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 25 V 30 V 30 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Número de producto base IPD068 - - IPD060
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 68 nC @ 10 V 22 nC @ 5 V 30 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IPD068N10N3GATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IPD068N10N3GATMA1 y la documentación Infineon Technologies para IPD068N10N3GATMA1 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
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Europa Alemania 5
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Italia 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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