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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIPD050N03LGATMA1
IPD050N03LGATMA1 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IPD050N03LGATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IPD050N03LGATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IPD050N03LGATMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Descripción detallada
Embalaje
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de datos
IPD050N03LGATMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 63050

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IPD050N03LGATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IPD050N03LGATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IPD050N03LGATMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TO252-3-11  
Serie OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 5mOhm @ 30A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 68W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)  
Número de producto base IPD050  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IPD050N03LGATMA1

Atributo del producto IPD050N03LGATMA1 IPD053N06NATMA1 IPD050N10N5ATMA1 IPD053N06N MOS
Número de pieza IPD050N03LGATMA1 IPD053N06NATMA1 IPD050N10N5ATMA1 IPD053N06N MOS
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
La disipación de energía (máximo) 68W (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) 150W (Tc) -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
RDS (Max) @Id, Vgs 5mOhm @ 30A, 10V 5.3mOhm @ 45A, 10V 5mOhm @ 40A, 10V -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V 6V, 10V -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 31 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 64 nC @ 10 V -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 15 V 2000 pF @ 30 V 4700 pF @ 50 V -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Característica de FET - - - -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) 18A (Ta), 45A (Tc) 80A (Tc) -
VGS (th) (Max) @Id 2.2V @ 250µA 2.8V @ 36µA 3.8V @ 84µA -
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Número de producto base IPD050 IPD053 IPD050 -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
Paquete del dispositivo PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 PG-TO252-3 -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 60 V 100 V -

IPD050N03LGATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IPD050N03LGATMA1 y la documentación Infineon Technologies para IPD050N03LGATMA1 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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