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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIPC50N04S5L5R5ATMA1
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IPC50N04S5L5R5ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IPC50N04S5L5R5ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IPC50N04S5L5R5ATMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Descripción detallada
Embalaje
8-PowerTDFN
Ficha de datos
IPC50N04S5L5R5ATMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 93770

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IPC50N04S5L5R5ATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IPC50N04S5L5R5ATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IPC50N04S5L5R5ATMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 13µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TDSON-8-33  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 5.5mOhm @ 25A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 42W (Tc)  
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1209 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)  
Número de producto base IPC50N  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IPC50N04S5L5R5ATMA1

Atributo del producto IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC100N04S5L1R9ATMA1 IPC90N04S5L3R3ATMA1
Número de pieza IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC100N04S5L1R9ATMA1 IPC90N04S5L3R3ATMA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 13µA 2V @ 90µA 2V @ 50µA 2V @ 23µA
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc) 90A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 23 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
RDS (Max) @Id, Vgs 5.5mOhm @ 25A, 10V 1.1mOhm @ 50A, 10V 1.9mOhm @ 50A, 10V 3.3mOhm @ 45A, 10V
Característica de FET - - - -
La disipación de energía (máximo) 42W (Tc) 150W (Tc) 100W (Tc) 62W (Tc)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40 V 40 V 40 V 40 V
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Número de producto base IPC50N IPC100 IPC100 IPC90N04
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Paquete del dispositivo PG-TDSON-8-33 PG-TDSON-8-34 PG-TDSON-8-34 PG-TDSON-8-34
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1209 pF @ 25 V 8250 pF @ 25 V 4310 pF @ 25 V 2145 pF @ 25 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IPC50N04S5L5R5ATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IPC50N04S5L5R5ATMA1 y la documentación Infineon Technologies para IPC50N04S5L5R5ATMA1 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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