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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIPB049N08N5ATMA1
IPB049N08N5ATMA1 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IPB049N08N5ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IPB049N08N5ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IPB049N08N5ATMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Descripción detallada
Embalaje
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de datos
IPB049N08N5ATMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 15956

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IPB049N08N5ATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IPB049N08N5ATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IPB049N08N5ATMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 3.8V @ 66µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TO263-3  
Serie OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 4.9mOhm @ 80A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 125W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3770 pF @ 40 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 53 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 80 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Número de producto base IPB049  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IPB049N08N5ATMA1

Atributo del producto IPB049N08N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 IPB04N03LA IPB049N06L3G
Número de pieza IPB049N08N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 IPB04N03LA IPB049N06L3G
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Número de producto base IPB049 IPB044 IPB04N -
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ 3
La disipación de energía (máximo) 125W (Tc) 300W (Tc) 107W (Tc) 115W (Tc)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3770 pF @ 40 V 8000 pF @ 75 V 3877 pF @ 15 V 8400 pF @ 30 V
VGS (th) (Max) @Id 3.8V @ 66µA 4.6V @ 264µA 2V @ 60µA 2.2V @ 58µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 8V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 174A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 53 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 32 nC @ 5 V 50 nC @ 4.5 V
Característica de FET - - - -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
RDS (Max) @Id, Vgs 4.9mOhm @ 80A, 10V 4.4mOhm @ 87A, 10V 3.9mOhm @ 55A, 10V 5mOhm @ 80A, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 80 V 150 V 25 V 60 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete del dispositivo PG-TO263-3 PG-TO263-7 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3

IPB049N08N5ATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IPB049N08N5ATMA1 y la documentación Infineon Technologies para IPB049N08N5ATMA1 - Infineon Technologies.

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Ensamblaje de PCN/origen
OptiMOS A/T Chgs 2/Dec/2021.pdf

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
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Europa Alemania 5
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Italia 5
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Nueva Zelanda 5
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Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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