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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIPB035N08N3GATMA1
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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IPB035N08N3GATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IPB035N08N3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IPB035N08N3GATMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Descripción detallada
Embalaje
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de datos
IPB035N08N3GATMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 13516

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IPB035N08N3GATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IPB035N08N3GATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IPB035N08N3GATMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 3.5V @ 155µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TO263-3  
Serie OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 3.5mOhm @ 100A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 214W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8110 pF @ 40 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 117 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 80 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)  
Número de producto base IPB035  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IPB035N08N3GATMA1

Atributo del producto IPB035N08N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 IPB034N06N3G IPB034N06L3GATMA1
Número de pieza IPB035N08N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 IPB034N06N3G IPB034N06L3GATMA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Característica de FET - - - -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Número de producto base IPB035 IPB037 - IPB034
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ 3 OptiMOS™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 80 V 60 V 60 V 60 V
Paquete del dispositivo PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-7-3 PG-TO263-3
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @Id 3.5V @ 155µA 4V @ 90µA 4V @ 93µA 2.2V @ 93µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8110 pF @ 40 V 11000 pF @ 30 V 11000 pF @ 30 V 13000 pF @ 30 V
RDS (Max) @Id, Vgs 3.5mOhm @ 100A, 10V 3.7mOhm @ 90A, 10V 3.4mOhm @ 100A, 10V 3.4mOhm @ 90A, 10V
La disipación de energía (máximo) 214W (Tc) 188W (Tc) 167W (Tc) 167W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 117 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 79 nC @ 4.5 V
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) 90A (Tc) 100A (Tc) 90A (Tc)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 10V 4.5V, 10V

IPB035N08N3GATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IPB035N08N3GATMA1 y la documentación Infineon Technologies para IPB035N08N3GATMA1 - Infineon Technologies.

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Italia 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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